[12p-N304-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-N304-4] HfO_x系ReRAMにおける電圧印加方法によるフォーミング電圧への影響

〇(M2C)鈴木 政洋¹、石井 芳晶¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：ReRAM、不揮発性メモリ、半導体

前回、電極材料の酸化エネルギーの違いの影響を、フォーミング電圧に着目して比較検討した。上部電極に、Hf, Al, Ni （酸化エネルギー： Hf < Al < Ni）を選び、下部電極はHfとした。今回、I-V 測定時の電圧印加パターンを 変えるなどして、より詳細に評価を行った。
フォーミング電圧の電圧パターン依存性は認められなかった。すなわち、電圧履歴の影響は見られず、電極材料の組み合わせによって決まっていることが確認できた。