2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N305 (口頭)

塩島 謙次(福井大)、牧山 剛三(住友電工)

13:30 〜 13:45

[12p-N305-1] M-3D基板上n型GaN層における非発光再結合寿命及び実効転位半径

望月 和浩1、太田 博1、堀切 文正2、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード:非発光再結合、窒化ガリウム、転位