[12p-N305-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[12p-N305-10] Improvement of Breakdown Voltage of NiO/β-Ga₂O₃ Diode by Heat Treatment in Oxygen

〇Shinji Nakagomi¹, Masaya Sato¹, Ryoto Chiba¹, Koji Yano² (1.Ishinomaki Senshu Univ., 2.Yamanashi Univ.)

Keywords:Ga2O3, NiO, diode

我々はp形伝導性を示す数少ない酸化物半導体NiOに着目し、NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードを開発している。今回, 基板を酸素中で熱処理することで高耐圧化を図ったので報告する。逆方向1000Vで1nA以下であり、フロリナート滴下状態で1400Vを確認した。