2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N305 (口頭)

塩島 謙次(福井大)、牧山 剛三(住友電工)

16:00 〜 16:15

[12p-N305-10] 酸素中熱処理によるNiO/β-Ga2O3ダイオードの高耐圧化

中込 真二1、佐藤 将哉1、千葉 遼渡1、矢野 浩司2 (1.石巻専修大理工、2.山梨大工)

キーワード:酸化ガリウム、酸化ニッケル、ダイオード

我々はp形伝導性を示す数少ない酸化物半導体NiOに着目し、NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードを開発している。今回, 基板を酸素中で熱処理することで高耐圧化を図ったので報告する。逆方向1000Vで1nA以下であり、フロリナート滴下状態で1400Vを確認した。