[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-2] 分極接合基板のC-V特性において二段階変化が起こる要因の解明

〇鬼村 和志¹、星井 拓也¹、松橋 泰平¹、沖田 寛昌¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹、中島 昭² (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：GaN、分極接合基板