[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-8] SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色

〇浦野 紫陽¹、馬 強¹、安藤 裕二²、田中 敦之²、分島 彰男¹ (1.名工大院工、2.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、エレクトロルミネッセンス