2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12p-N402-1~10] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2021年9月12日(日) 13:30 〜 16:15 N402 (口頭)

舩木 修平(島根大)、飯田 和昌(名大)

14:15 〜 14:30

[12p-N402-4] CaをドーピングしたGdBa2Cu3O7-x 超伝導薄膜の臨界電流特性

水野 光樹1、アロク ジャー1、松本 要1、堀出 明哉1 (1.九州工業大学)

キーワード:薄膜

ナノロッド人工ピンを高密度でGdBCOに入れることで臨界電流密度の向上が得られるが、過剰に人工ピンを導入すると酸素空孔が増加し、逆に臨界電流密度が低くなることも分かっている。本実験ではナノロッド人工ピン導入GdBCO で実験を行う前実験として、GdBCOへのCaドープによるキャリアの制御に着目し、pure-GdBCO と比較して、臨界温度が減少するものの、臨界電流密度が向上することを確認することを目的として実験を行った。GdBCOにCaをSurface modified法とmixターゲット法の2パターンでドーピングさせて薄膜作製を行った。結果としては若干の臨界温度低下はあるものの臨界電流密度の向上が確認できた。