[12p-N402-1~10] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12p-N402-6] REBCO-CCの中間層に用いるLaNiO₃薄膜の熱処理と抵抗率の関係

〇舩木 修平¹、樋口 真依¹、山田 容士¹、土井 俊哉² (1.島根大自然、2.京大院エネ科)

キーワード：LaNiO3、導電性中間層、REBCO-CC

本研究では，新規低コストREBCO-CCの導電性中間層としてい用いるLaNiO₃薄膜の熱処理と抵抗率の関係を明らかにすることを目的とし，PLD-REBCO成膜環境及び酸素アニール環境におけるLaNiO₃薄膜の抵抗率の変化を調査した．
LaNiO₃薄膜をPLD-REBCO成膜環境で熱処理をすることで，抵抗率が低下することが分かった．また，As-depo. 及びPLD-REBCO成膜環境で熱処理したLaNiO₃薄膜は酸素アニールによって低抵抗率化し，PLD-REBCO成膜環境の熱処理を施すことで到達する抵抗率がさらに低下することが分かった．