2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

[12p-N403-1~14] 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:45 N403 (口頭)

山梨 裕希(横国大)、赤池 宏之(大同大)

16:00 〜 16:15

[12p-N403-12] 中性粒子ビームにより制御されたNb電極表面酸化膜が超伝導共振器に与える影響

〇(M2)紺野 太壱1、大堀 大介1、日高 睦夫3、野田 周一3、遠藤 和彦3、向井 寛人4、朝永 顕成4,5、蔡 兆申4,5、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大、5.理研RQC)

キーワード:量子ビット、超伝導、ニオブ

量子ゲート加工時や回路加工時に表面に生じるNb酸化層には、絶縁体のNb2O5と金属的な性質を有するNbOやNbO2などのサブオキサイドがある。そのサブオキサイドが含まれたジョセフソン接合を作製すると、良好な特性の接合ができないことが知られている。そこで本研究では、酸素中性粒子ビームを用いた酸化を行い、表面酸化膜質の制御を行うことで高い共振周波数のQ値が得られる最適なNb表面酸化条件を検討した。