[12p-N403-1~14] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[12p-N403-13] 量子ビット応用に向けた絶縁層を含む強磁性ジョセフソン接合の開発

〇大場 絢次郎¹、Pham Duong¹、杉本 理駆¹、田中 雅光¹、山下 太郎¹、藤巻 朗¹ (1.名大院工)

キーワード：量子ビット、ジョセフソン接合、強磁性体

磁束型量子ビットの集積化に向けた課題は、コヒーレンス時間が最大となる最適動作点へ駆動するために、半磁束量子に相当する外部磁場が定常的に必要となる点である。これを解決する手法として、π接合を磁束型量子ビットへ導入した、磁束バイアスフリー磁束型量子ビットが提案されている。今回、NbN/PdNi/AlN/NbN接合の作製を行い、ジョセフソン臨界電流や常伝導抵抗の評価を行った。