[12p-N406-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12p-N406-1] Si-GaAsN evaluated by photoconductivity measurement

〇Yuito Yamada¹, Takashi Tsukasaki¹, Koichiro Shimizu¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:GaAsN, photoconductivity measurement, Si-doped

窒素組成が低いGaAsNは、窒素組成の増加に伴ってバンドギャップエネルギーが減少するバンドギャップボウイングという性質を持つ。この性質から、GaAsよりもバンドギャップエネルギーが小さいエネルギー帯での太陽電池への応用が期待されている。そのため、GaAsNの光学特性の解明が重要となる。本研究ではSi-GaAsNの光伝導特性について検討したので、その結果について報告する。