[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-1] 光伝導測定によるSi-GaAsNの評価

〇山田 唯人¹、塚崎 貴司¹、清水 光一郎¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：GaAsN、光伝導測定、Siドープ

窒素組成が低いGaAsNは、窒素組成の増加に伴ってバンドギャップエネルギーが減少するバンドギャップボウイングという性質を持つ。この性質から、GaAsよりもバンドギャップエネルギーが小さいエネルギー帯での太陽電池への応用が期待されている。そのため、GaAsNの光学特性の解明が重要となる。本研究ではSi-GaAsNの光伝導特性について検討したので、その結果について報告する。