[12p-N406-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12p-N406-11] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaNAsBi/GaAs Core-Multishell Nanowires

〇Yuto Torigoe¹, Kohei Yoshikawa¹, Masahiro Okujima¹, Syota Mori¹, Mitsuki Yukimune¹, Fumitaro Ishikawa¹ (1.Ehime Univ.)

Keywords:nanowire

III-V化合物半導体ナノワイヤは, 次世代の光・電子デバイスに応用することが期待されている. その中でも, 希薄窒化物およびビスマス半導体NWsは, バンドギャップと格子定数の可変性が大きく, 近赤外領域のバンドギャップをひろく変調することで，通信や太陽電池に適用可能である. GaNAsBiはGaAsに近い格子定数を維持しながら，バンドギャップを調整することができ, 歪みの抑制による高品質の結晶の実現が期待される. 本論文では, 高い構造特性と光学特性を有するGaNAsBiシェルを含むGaAsベースのコアマルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長について検討した結果を報告する.