[12p-N406-1~12] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [12p-N406-8] Fabrication of low density InAs QDs for telecom-band single-photon emission by using Bi-assisted inter-diffusion epitaxy

〇Kiyora Kaneki¹, Kouichi Akahane², Tomohiro Maeda¹, Hideyuki Sotobayashi¹ (1.Aogaku Univ., 2.NICT)

Keywords:single photon, quantum dot, semiconductor

通信波長帯における理想的な単一光子源を実現するため、本研究ではS-Kモードによる自己組織化InAs量子ドットの低密度化に関して検討を行った。さらに、フォトリソグラフィーとエッチングによる量子ドットの数量制御の検討を行ったのでこれを報告する。