[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12p-N406-9] InAs_1-xBi_x/GaAs量子ドットの実現に向けたMBE成長条件の検討

〇吉岡 顕大¹、横手 竜希²、岡村 祐輝¹、藤野 翔太朗²、富永 依里子^1,2、行宗 詳規³、石川 史太郎³、林 将平⁴、赤羽 浩一⁵ (1.広大先進理工系科学研究科、2.広大先端物質科学研究科、3.愛媛大理工学研究科、4.東レリサーチセンター、5.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドット、ビスマス、InAsBi