[12p-S101-1~15] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[12p-S101-3] 共蒸着膜を用いた分子膜ギャップ型原子スイッチのフォーミング時間

〇峯岸 和輝¹、石嶋 陽樹¹、清水 陽介¹、谷本 直柔¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：原子スイッチ、抵抗変化型メモリ