[12p-S201-1~6] 次世代発光材料の創製とデバイス応⽤

[12p-S201-4] ペロブスカイト半導体の電子-格子相互作用：基礎物性とデバイス応用

〇山田 泰裕¹ (1.千葉大院理)

キーワード：ポーラロン、発光

ハロゲン化鉛ペロブスカイトAPbX₃ は優れた電気的・光学的性質を有する半導体材料である。そのユニークな物性の起源として、電子-格子相互作用に由来したポーラロン形成がこれまで盛んに議論されてきた。講演では、磁気光学分光とAC光ホール測定によるポーラロン効果に関する我々の研究を紹介するとともに、大きな電子-格子相互作用を活用した新たなデバイス応用の可能性を提案したい。