[12p-S203-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [12p-S203-1] Correlation between resistive and electronic states of Resistive Random Access Memory

〇(M2)Kota Sugawara^1,2, Hiroshi Suga^1,2, Yasuhisa Naitoh¹, Hisashi Shima¹, Hiroyuki Akinaga¹ (1.AIST, 2.Chiba Tech)

Keywords:ReRAM, Activation Energy, Low-Frequency Noise Spectroscopy

抵抗変化メモリは抵抗変化の起源が，酸素イオンの移動を伴うことから，変化する抵抗値を正確に制御することが課題となっている．電気伝導に寄与するキャリアの情報を様々な抵抗状態で測定することで，抵抗変化の信頼性向上にむけた研究開発を行っている．講演では，高抵抗状態と低抵抗状態の抵抗変化メモリで低周波ノイズ分光法による測定を行い，求めた活性化エネルギーについて報告する．