[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-1] 抵抗変化メモリの抵抗状態と電子状態の相関関係

〇(M2)菅原 広太^1,2、菅 洋志^1,2、内藤 泰久¹、島 久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研、2.千葉工大)

キーワード：抵抗変化メモリ、活性化エネルギー、低周波ノイズ分光法

抵抗変化メモリは抵抗変化の起源が，酸素イオンの移動を伴うことから，変化する抵抗値を正確に制御することが課題となっている．電気伝導に寄与するキャリアの情報を様々な抵抗状態で測定することで，抵抗変化の信頼性向上にむけた研究開発を行っている．講演では，高抵抗状態と低抵抗状態の抵抗変化メモリで低周波ノイズ分光法による測定を行い，求めた活性化エネルギーについて報告する．