[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-11] 酸化物基板上へのInSbエピタキシャル薄膜の製作

〇李 邱穆¹、重松 圭^1,2、東 正樹^1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC)

キーワード：薄膜、InSb、マルチフェロイクス

我々はBiFe_0.9Co_0.1O₃薄膜において、強誘電性と強磁性ドメインが強い相関を持つことを発見、プローブ顕微鏡を用いて電場印加による垂直方向の磁化の反転を検出することに成功した。この現象を低消費電力磁気メモリとして応用するためには、磁化反転を検出できる素子構造の製作が必要である。本研究では、BiFe_0.9Co_0.1O₃薄膜上へ高感度磁気センサの成膜を目指して、GdScO₃(110)とSrTiO₃ (001)の酸化物基板上に成膜したInSb薄膜の結晶性や電気的特性を評価した。