[12p-S203-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [12p-S203-13] Fabrication of p-type transparent SnO films and examination of sulfurization process with using solution reactions

〇Suguri Uchida¹, Takuto Soma¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.MCES)

Keywords:p-type transparent semiconductor, Pulsed-laser deposition, Soft chemistry

一酸化スズSnOは高移動度p型透明半導体として盛んに研究されており、結晶品質とp型導電性の向上が課題となっている。一硫化スズSnSはSnOよりも更に高い移動度を示すp型半導体であるが、合成はより困難である。本研究では、エピタキシャル安定化したSnO薄膜を作製し、溶液化学反応を用いたイオン交換によりSnSを合成するプロセスを検討した。講演では、反応の進行に伴う光学・電気特性の変化とそのメカニズムについて議論する。