[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-2] Pt/Ti_0.96Co_0.04O_2-δ/Pt薄膜の界面状態制御による抵抗スイッチングと脳型特性

〇(M1)高田 文朝¹、福島 吉顕¹、土屋 敬志²、樋口 透¹ (1.東理大、2.物材機構)

キーワード：抵抗スイッチング、脳型特性

近年次世代メモリとして酸化物半導体を用いたReRAMやメモリスタの研究が盛んに行われてきた。本研究ではPt/Ti_0.96Co_0.04O_2-δ/Pt薄膜の界面状態制御によって同一デバイス上で抵抗スイッチングと脳型特性の両方の特性を実現した。本報告では結晶構造と電気特性の評価で明らかになった抵抗変化メカニズムを示した上で、抵抗スイッチングおよび脳型特性の結果を界面状態制御の立場から議論する。