[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-3] Pt/Nb:SrTiO₃ショットキー接合の巨大抵抗変化におけるPt電極への不純物添加効果

〇村上 大晟^1,2、大澤 健男¹、石垣 隆正²、大橋 直樹¹ (1.物材機構、2.法政大院理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、電界誘起巨大抵抗変化

遷移金属酸化物を金属電極で挟んで構成されるショットキー接合素子では、電界誘起巨大抵抗変化(CER)現象が観察される。我々はPt/Nb:SrTiO₃接合を中心に、電気測定と光電子分光測定の両面からCER現象を検証してきた。本研究では、マグネトロンスパッタリング法を用いて堆積させたPt/NbSrTiO₃(001)接合に対し、酸素導入や水素照射によりCER現象が変化すること検証したので報告する。