[12p-S203-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [12p-S203-4] Oxygen composition dependence of forming characteristics in Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt resistive switching cells

〇(DC)Toshiki Miyatani¹, Kimoto Tsunenobu¹, Nishi Yusuke^1,2 (1.Kyoto Univ., 2.NIT Maizuru College)

Keywords:resistive random access memory, Oxide

Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子においては、過電流を抑制することで数kΩ程度の抵抗状態への特殊なForming現象が発現する。さらに、その後の印加電圧を適切に設定することで、アナログ抵抗変化特性が得られる。
本研究では、アナログ抵抗制御につながるこのForming現象のメカニズム解明を目的として、TaO_xの酸素組成がForming特性に与える影響を調べた。