[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-4] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性

〇(DC)宮谷 俊輝¹、木本 恒暢¹、西 佑介^1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化物

Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子においては、過電流を抑制することで数kΩ程度の抵抗状態への特殊なForming現象が発現する。さらに、その後の印加電圧を適切に設定することで、アナログ抵抗変化特性が得られる。
本研究では、アナログ抵抗制御につながるこのForming現象のメカニズム解明を目的として、TaO_xの酸素組成がForming特性に与える影響を調べた。