2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:30 S203 (口頭)

木下 健太郎(東理大)

14:45 〜 15:00

[12p-S203-8] LiV2O4エピタキシャル薄膜へのLiイオン挿入とその場構造解析

矢島 達也1、相馬 拓人1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

キーワード:Liイオン挿入、その場構造解析、エピタキシャル薄膜

エピタキシャル薄膜をモデル電極として用いると膜厚や成長面方位を規定できるため電極材料へのLiイオン脱挿入機構の解明に効果的である.我々はスピネル型構造LiV2O4薄膜へのLiイオン挿入とその場構造解析を行った.薄い膜では常に単一相になったが,厚い膜では新たな相の出現が起こった.これらの結果は膜厚が異なるとLiイオン挿入過程が著しく異なることを示している.