[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[12p-S301-1] ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドpinダイオードのi層の結晶性の比較

〇竹内 大輔^1,2、本部 達也^1,2、市川 公善³、大曲 新矢¹、寺地 徳之³、小倉 政彦¹、加藤 宙光¹、牧野 俊晴¹、庄司 一郎² (1.産総研、2.中央大、3.物材機構)

キーワード：二光子吸収フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス、拡散長

負性電子親和力を利用したダイヤモンドpinダイオードからの電子放出実験では、高濃度p型IIb{111}基板上（p⁺⁺基板）に作製したpinダイオードより、低濃度基板上（p基板）のpinダイオードの方が、電子放出効率が2桁以上高い傾向が再現よく得られてきた。そこで各i層の結晶性を比較するため、i層を狙ったCL測定、ならびに二光子吸収PL（2PPL）像の観察を行った。結果は観察方法の原理とFE拡散長を踏まえたモデルで説明でき、pin⁺のi層がより高品質であると考えられた。