[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[12p-S301-3] p 型(001)基板上 pin ダイオード型 NEA 電子源の研究

〇(M2)生田 和也^1,2、小倉 政彦²、加藤 宙光²、加藤 有香子²、牧野 俊晴²、竹内 大輔^1,2、庄司 一郎¹ (1.中央大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド半導体、電子放出

現状利用可能な単結晶品質の大型基板はモザイク基板と呼ばれる(001)基板で、(111)基板とは電子源を作製するうえで異なる課題が考えられる。本研究は(001)基板上pinダイオード型電子源の作製を通してこれまでの(111)基板上での研究と比較し進めている。今回はp型(001)基板のアクセプタ濃度の異なる電子源について(111)の場合を含めた特性の比較と大型基板への適用に向けた課題と展望を紹介する。