[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[12p-S301-5] 水素終端n型ダイヤモンドからの自由励起子由来の光電子放出観測

〇(M1)塚本 涼太^1,2、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、竹内 大輔^1,2、庄司 一郎¹ (1.中央大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、低濃度リンドープ、光電子放出

ダイヤモンド半導体表面を水素終端すると、負性電子親和力(NEA)の状態となり結晶内部からの強い電子放出が自然に起こる事が示されてきた。しかし、n型の場合は表面に上向きのバンド湾曲が生じ、結晶内部から表面への自由電子の輸送が妨げられ、結晶内部からの自由電子の放出は観測されないと考えられてきた。本研究では、低濃度リンドープn型ダイヤモンド半導体を用いて、NEA表面からの電子放出について改めて測定を行った。