[12p-S301-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [12p-S301-6] Evaluation of thermal stability of Si/diamond heterojunction diodes

〇(DC)Yota Uehigashi¹, Shinya Ohmagari², Hitoshi Umezawa², Hideaki Yamada², Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.AIST)

Keywords:surface activated bonding, diamond

ダイヤモンドは高いバンドギャップエネルギー、移動度を有することから、パワー半導体への応用が期待される。ダイヤモンドショットキーバリアダイオード(SBD)において高温の熱処理で電気特性が劣化する課題がある。本研究では、表面活性化接合法を用いて作製したSi/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの熱処理による特性変化を評価し、Alをショットキー電極とするダイヤモンドSBDと比較して高い耐熱性を実証した。