[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-6] Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価

〇(DC)上東 洋太¹、大曲 新矢²、梅沢 仁²、山田 英明²、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.産総研)

キーワード：表面活性化接合、ダイヤモンド

ダイヤモンドは高いバンドギャップエネルギー、移動度を有することから、パワー半導体への応用が期待される。ダイヤモンドショットキーバリアダイオード(SBD)において高温の熱処理で電気特性が劣化する課題がある。本研究では、表面活性化接合法を用いて作製したSi/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの熱処理による特性変化を評価し、Alをショットキー電極とするダイヤモンドSBDと比較して高い耐熱性を実証した。