[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[12p-S301-7] 大型ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの特性評価

〇大曲 新矢¹、嶋岡 毅紘¹、梅沢 仁¹、山田 英明¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、ショットキー、放射線

超ワイドギャップ半導体は、displacement energyが高く（材料劣化が小さい）、真性キャリア密度が小さく（高温による熱暴走が生じにくい）、e-h生成エネルギーが高い（電荷を生じにくく瞬間的な誤動作に強い）という特徴から、宇宙・原子炉空間で使用可能な、耐放射線デバイスとして有望である。特にダイヤモンドは単元素で構成されており、中性子による核変換が生じず（Siは中性子との反応によりPに核変換）、高温・高耐圧のデバイス動作が確認されている材料である。また、資源探索や活火山のモニタリングなど、人の立ち入りが困難な空間でのセンシングデバイスとしても期待が大きい。本研究では、素子電流及びセンサ有効面積拡大を考慮し、大型のダイヤモンドSBDの作製した。その結果、高温高圧製IIb (100) 基板、Ib (100)上においても10⁹を超える高い整流比を実現した。