[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-8] 全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード

〇重松 誠弥¹、関 裕平²、星野 靖²、中田 穣治²、大石 敏之¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.神奈川大理)

キーワード：イオン注入、ダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード

全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード（SBD）で整流特性を得た．このSBDは，ショットキー電極下に低濃度ドーピング領域があり，オーミック電極下に高濃度ドーピング領域があった．その結果，電流の整流比は1266であった．ショットキー障壁の高さは1.1 eV，理想係数は10，寄生抵抗は3.5×10⁸ Ωと求められた．