[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-9] h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ

〇(PC)笹間 陽介¹、蔭浦 泰資¹、井村 将隆¹、渡邊 賢司¹、谷口 尚¹、内橋 隆¹、山口 尚秀^1,2 (1.物材機構、2.筑波大数理)

キーワード：ダイヤモンド、高移動度、トランジスタ

これまでのダイヤモンドFETの多くは，表面アクセプターによって水素終端表面に誘起されるキャリアを利用していた．しかし，低移動度やノーマリーオン動作となる点に問題があった．本研究では，水素終端表面を大気に晒さずにh-BNゲート絶縁体を形成することによって表面アクセプター密度を低減したダイヤモンドFETを作製した．その結果，高い移動度，低オン抵抗，ノーマリーオフ動作を同時に実現することに成功した．