[12p-S302-1~17] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[12p-S302-4] 第一原理非平衡グリーン関数輸送解析を用いたマルチ量子ビットの物理モデルの設計とゲート制御

〇熊倉 健太¹、坂本 克好¹、曽我部 東馬¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：量子ビット、量子ゲート制御、第一原理非平衡グリーン関数輸送解析

近年、CMOS製造技術の進歩により半導体を用いた量子ビットが着目され、シリコン量子ドット、半導体技術を用いた量子ビットや量子ゲートを実現しようとする取り組みが盛んになっている。本研究ではシリコンナノワイヤ電界効果トランジスタを用いてマルチ量子ビットの物理モデルの作成を行う。作成したマルチ量子ビットの物理モデルを用いて、マルチ量子ゲートの制御の最適化を目指す。