[12p-S401-1~19] 1.4 Energy conversion, storage, resources and environment

△ [12p-S401-4] Band gap energy and electronic structure of (Cu,Ag)(Ga,In)Se₂ system

〇(M1)Reina Yano¹, Tuyoshi Maeda¹, Takahiro Wada¹ (1.Ryukoku Univ.)

Keywords:solar cells, semiconductor

Cu(Ga,In)(S,Se)₂ (CIGSSe)系化合物半導体は高い光吸収係数を有し、薄膜化が可能という特徴を持つことから薄膜太陽電池材料として広く用いられている。CIGSSe系太陽電池の最高変換効率は23.35%で、微量のAgが含まれている。本報告では、(Cu,Ag)(Ga,In)Se₂系固溶体の禁制帯幅や電子構造の組成依存性について報告する。Ga量が増加すると、CBM準位が上昇することで禁制帯が広くなり、Ag量が増加すると、VBM準位が低下することで禁制帯幅が広くなることが明らかになった。