[13a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-N101-9] InN grown on a polyimide substrate by RF-MBE

〇Shuto Murakumo¹, Taiki Ito¹, Junichiro Kitamura¹, Kenta Tsukamoto¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor

現在の窒化物半導体薄膜の成長用基板として、Si、サファイア、SiC、GaNなどの単結晶基板が用いられている。これらの基板は柔軟性がなく、高価格で大面積化が困難である。このような単結晶基板に対して、安価でフレキシブルな基板として、高耐熱性ポリイミドフィルムがある。本研究では、直接遷移型で電子移動度が高く、光デバイスや高速電子デバイスへの応用が期待されるInNをフレキシブル基板上に成長して電気的特性を評価した。