[13a-N203-1~7] 6.4 薄膜新材料

△ [13a-N203-3] 層状化合物BiI_3​薄膜のエピタキシャル成長と光学特性評価

〇(M1)安波 貴広¹、中村 優男²、稲垣 宗太朗¹、豊田 新悟²、小川 直毅^1,2、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東京カレッジ)

キーワード：薄膜、分子線エピタキシー法、励起子

BiI₃は巨大な励起子応答を示す層状化合物で、近年は太陽電池材料としても注目されている。しかし、高品質な薄膜作製事例はなかった。本研究ではサファイア基板上にMBE法で薄膜作製を行った。低温成長バッファー層の導入によって原子層レベルで平坦なc軸配向膜の作製に成功した。低温の吸収スペクトルは非常に鋭く強い励起子吸収を示し、作製した薄膜がバルク単結晶に匹敵する高い結晶性を有することが明らかになった。