[13a-N203-1~7] 6.4 薄膜新材料

△ [13a-N203-7] ミストCVD法を用いたYSZ(111)面基板上の
IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価

〇(M1)石野 貴之¹、島添 和樹¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化インジウムスズ、ミストCVD法、Mo添加酸化インジウム（IMO）

スズ添加酸化インジウム(ITO)は高い導電率(～10^-4 Ωcm)と可視光透過率(約90％)を有しているため、透明導電膜の中で最も利用されている材料である。しかし、ITOは低抵抗率を実現するために近赤外透過率を損なう特性を有している。そこでキャリアの増加ではなく移動度の増加による低抵抗率の実現に向けて、In₂O₃に遷移金属(Mo, W, Ta等)を添加する研究が行われている。本研究ではその中でMoを選定し、ミストCVD法を用いたIMO（モリブデン添加酸化インジウム）のエピタキシャル薄膜成長ついて報告する。