[13a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-N304-1] ラフネスを有するチャネルにおける2 次元電子ガスの基底状態の新たな定式化と表面ラフネス散乱移動度への影響

〇(DC)隅田 圭¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：表面ラフネス散乱、MOSFET、移動度

スケーリングによるチャネルの極薄膜化につれ、表面ラフネス散乱が移動度を支配的に劣化させている為、表面ラフネス散乱の理解が重要な課題となっている。本研究では、ラフネスを有するチャネル中の2次元電子ガスの基底状態の新たな定式化を提案し、これを表面ラフネス散乱の計算に適用することで、AFMやTEM観察結果と整合する物理的に妥当なパラメータによってSi nMOSFETの表面ラフネス移動度を説明出来ることを報告する。