低温におけるバルクMOSFETの特性ばらつきの統計解析

09:30 〜 09:45

[13a-N304-3] 低温におけるバルクMOSFETの特性ばらつきの統計解析

〇水谷朋子¹、竹内潔¹、更屋拓哉¹、小林正治^1,2、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード：MOSFET、極低温、ばらつき

低温 (LT) におけるバルクMOSFETの特性ばらつきを統計的に解析し，室温 (RT) におけるばらつきと比較した．その結果，DIBLばらつきはLTで増加し，RTとLTの間のしきい値電圧の差が正規分布に従うことがわかったので報告する．