The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-N304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Mon. Sep 13, 2021 9:00 AM - 12:00 PM N304 (Oral)

Yukinori Ono(Shizuoka Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[13a-N304-5] Characterization of sensitivity of a p-channel physically-definedsilicon quantum-dot RF charge sensor

Raisei Mizokuchi1, Shimpei Nishiyama1,2, Kimihiko Kato2, Yongxun Liu2, Shigenori Murakami2, Takahiro Mori2, Jun Yoneda1, Tetsuo Kodera1 (1.Tokyo Tech., 2.AIST)

Keywords:quantum dot, silicon, RF reflectometry

シリコン量子ドット中の正孔スピンは、量子ビットの集積化に有望な系であるが、重要な要素である量子状態の単発測定は報告されていない。本研究ではこの準備段階として、物理形成量子ドット系において、単発測定に利用できるRF電荷センサの感度を調べた。4.2 KにおけるRF反射測定から、コンダクタンス感度を見積もり、その値が正孔スピンの緩和時間と同程度の時間で測定できる可能性を示すものであることを明らかにした。