[13a-N304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-N304-5] Characterization of sensitivity of a p-channel physically-definedsilicon quantum-dot RF charge sensor

〇Raisei Mizokuchi¹, Shimpei Nishiyama^1,2, Kimihiko Kato², Yongxun Liu², Shigenori Murakami², Takahiro Mori², Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech., 2.AIST)

Keywords:quantum dot, silicon, RF reflectometry

シリコン量子ドット中の正孔スピンは、量子ビットの集積化に有望な系であるが、重要な要素である量子状態の単発測定は報告されていない。本研究ではこの準備段階として、物理形成量子ドット系において、単発測定に利用できるRF電荷センサの感度を調べた。4.2 KにおけるRF反射測定から、コンダクタンス感度を見積もり、その値が正孔スピンの緩和時間と同程度の時間で測定できる可能性を示すものであることを明らかにした。