[13a-N304-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-N304-7] High-speed operation and integration of spin qubits with buried nanomagnet structure

〇Shota Iizuka¹, Kimihiko Kato¹, Atsushi Yagishita¹, Hidehiro Asai¹, Tetsuya Ueda¹, Hiroshi Oka¹, Junichi Hattori¹, Tsutomu Ikegami¹, Koichi Fukuda¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:Silicon spin quantum bit, Buried wiring technology, Variation tolerance

シリコンスピン量子ビットの動作速度を高速化し、かつ高い製造ばらつき耐性を有する量子ビットと微小磁石の集積方法を提案し、それをシミュレーションにより検討した。微小磁石を量子ビットの側方下部に埋め込むことで、量子ビット近傍の微小磁石が生じる大きな傾斜磁場により、動作速度は従来比で約10倍となる。また、自己整合プロセスにより形成された微小磁石は、リソグラフィ装置の位置ずれに対して高いばらつき耐性をもつ。