[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-10] GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価

〇齊藤 裕人¹、福井 青空¹、小畑 智弘¹、田中 敦之²、須賀 唯知³、竹内 魁³ (1.名工業大工、2.名大、3.明星大)

キーワード：半導体

GaNデバイスでは、パッケージとの接着にAuSnが広く用いられている。しかしながら、AuSnは熱伝導率が低いことに加えて、溶解プロセス中の酸化により表面あれが生じ熱伝導にムラが生じるといった問題がある。そこで新たな方法として、TiAuを介した接合を検討した。今回GaNとカーボン系材料をTiAuを介して接合した試料の過渡温度測定を行った結果、TiAu部に起因した温度上昇が確認できなかったことを報告する。