[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

▲ [13a-N305-3] Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications

〇YUWEI ZHANG¹、Soichiro Kawata¹、Naotaka Iwata¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

キーワード：p-GaN gate HEMT, rectifier, energy harvesting