[13a-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [13a-N305-5] Fabrication and characterization of AlGaInN/Al_0.36Ga_0.64N HFETs with selective-area regrowth ohmic contacts and AlN barriers.

〇Akiyoshi Inoue¹, Sakura Tanaka¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:Group-III nitrides, AlGaN-channel HFET, High breakdown voltage

AlGaNチャネルヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)は、その非常に高いOFF耐圧から次世代のパワーデバイスとして有望である。AlGaNチャネル層のAlNモル分率を36%まで高くしたヘテロ構造では、AlNモル分率20%のヘテロ構造と同等の2DEGシート抵抗を示す一方でOFF耐圧が大幅に向上する事が予測されている。また、最近では、選択再成長コンタクト層を採用したAlGaNチャネルHFETを作製し、オーミックコンタクト抵抗の低減とHFETのON特性向上が為された事を報告している。本研究では、ON/OFF性能比のさらなる向上を目指し、選択再成長コンタクト層に加え、リーク電流を低減させるためのAlNバリアを採用したAlN/AlGaInN/AlGaN HFETを作製したので報告する。