[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [13a-N305-5] 選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al_0.36Ga_0.64N HFETの作製と特性評価

〇井上 暁喜¹、田中 さくら¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：Ⅲ族窒化物、AlGaNチャネルHFET、高絶縁破壊電圧

AlGaNチャネルヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)は、その非常に高いOFF耐圧から次世代のパワーデバイスとして有望である。AlGaNチャネル層のAlNモル分率を36%まで高くしたヘテロ構造では、AlNモル分率20%のヘテロ構造と同等の2DEGシート抵抗を示す一方でOFF耐圧が大幅に向上する事が予測されている。また、最近では、選択再成長コンタクト層を採用したAlGaNチャネルHFETを作製し、オーミックコンタクト抵抗の低減とHFETのON特性向上が為された事を報告している。本研究では、ON/OFF性能比のさらなる向上を目指し、選択再成長コンタクト層に加え、リーク電流を低減させるためのAlNバリアを採用したAlN/AlGaInN/AlGaN HFETを作製したので報告する。