[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-7] 横型GaN系FinFETにおける異なるチャネル伝導形態の比較検討

〇佐々木 満孝¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東京工業大学)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、デバイスシミュレーション

GaN系FinFETはこれまでに主に二種類の構造が検討されてきた。一つはHEMTの2DEGチャネル側面を掘り込み、ゲート電極を巻き付ける「上面2DEG型 」、もう一つはFinをGaNのみで構成し、Fin構造全体にバルク電流を流す「バルク伝導型」である。しかし、GaN系FinFETにはこの他にも、Fin構造の片方の側面に2DEGチャネルを誘起させる「側面2DEG型」も考えられる。本研究ではデバイスシミュレーションを用いてこれら3種類のチャネル形態の利害得失を検討している。