[13a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[13a-N305-8] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製：成長窓形成プロセスの検討

〇太田 貴士¹、佐々木 満考¹、高山 研¹、濱田 拓也¹、高橋 言緒²、井出 利英²、清水 三聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、FinFET、パワーデバイス